阴极荧光相关论文
本文利用扫描电子显微镜(SEM)、电子束感生电流(EBIC)以及阴极荧光(CL)技术对氮化镓(GaN)基肖特基、PIN结型器件的截面进行了系统......
碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能，被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领......
GaAs是Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体材料,嵌入GaAs量子点的GaAs纳米线结构(GaAs QDs-GaAs NWs)具有优良的光电性能1,可以被应用于光纤通......
A-plane GaN films are deposited on (302) \gamma-LiAlO2 substrates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Th......
从点光源均匀发光模型出发,重点导出了回转半椭球面镜的阴极荧光(Cathodoluminescence,简称CL)光谱有效收集效率ηλ(eff)的计算公......
目前在SiC缺陷方面的研究一般都是通过刻蚀或者TEM这种有损的方法进行分析，而对于无损表征只是局限于对某种缺陷的表征，如对4H-SiC材......
稀土掺杂氮化镓有非常广泛的应用,如波导,光涂层,光电子器件等.我们通过将氧化镓和氧化铕固相粉末混合后通氨气氮化的方法研究......
使用A1N插入层方法由金属有机化学气相沉积（MOCVD）在GaN上生长的不同A1组分的AlxGa1-xN以及掺MgAl0.54Ga0.45N。使用阴极荧光的测试......
<正>作为一种宽禁带半导体,金刚石被期待在紫外发光二极管或激光器方面得以应用.但金刚石晶体中的杂质和空位对它的光学特性有很大......
利用化学气相淀积（CVD）的方法在AlN／Si（111）复合衬底上成功实现了4H—SiC薄膜的异质外延生长，用X射线衍射（xRD）、扫描电子显微镜（SEM）、阴极......
温度是影响物理、化学和生物系统的一个基本参数,在决定物质状态中起着至关重要的作用。对于纳米颗粒,温度不仅在合成过程中对材料......
阐述了金刚石薄膜中成分、结构、夹杂尤其是化学与结构缺陷对热、电、光学、机械、化学性质的影响.介绍了薄膜品质检测、表征方法......
利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SE......
本文利用液相外延方法,在较大组分范围内(0≤x≤0.17,0≤y≤0.12),成功地生长出了晶格匹配于(100)GaSb衬底的In_xGa_(1-x)As_ySb_(......
本文报导了利用灯丝热解CVD方法在单晶硅衬底表面气相合成硼掺杂p-型金刚石薄膜的方法和结果,并对其晶体结构、半导体性质及发光特......
本文研究了30周期的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池结构的阴极荧光特性,揭示了光学性质和结构性质的关系.在InGaN/GaN量子阱层底部, ......
@@阴极荧光（Cathodoluminescence.CL，如图l示）和电子束诱导感生电流(Electron beam inducedcurrent.EBIC)是通常安装在场发射扫描电镜......
大量氧化锌(ZnO)晶须通过简单热蒸发Zn粉制得。收集衬底没有采用金属催化剂而直接用硅片收集。通过调节温度,源与硅片的距离及氧气......
应变对半导体材料性质的影响一直是近年来研究的热点课题。随着半导体工业的发展，半导体器件的尺度不断的缩小，应变也就更加容易产生......
在空间生长SI GaAs的某些部位有汽泡产生 ,经俄歇分析 ,汽泡表面约有 1 0nm的砷层 ,它从半绝缘砷化镓内部逸出 ,导致其成为半导体......
利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SE......
阐述了金刚石薄膜中成分，结构、夹杂尤其是化学与结构缺陷对热、电、光学、机构、化学性质的影响。介绍了薄膜品质检测、表征方法的......
锆石等测年矿物的阴极荧光Cathodoluminescence(CL)图像分析是矿物微区成分分析和U-(Th)-Pb年龄测定及其地质意义讨论的必要的前期......
在JCXA-733电子探针上采用一种实用的微区紫外-可见阴极荧光的探测方案,可以分析样品表面微区的不可见和可见的荧光.荧光的波长和......
介绍一种基于EZ—USB FX2系列CY7C68013型电路的不可见阴极荧光分析系统，该系统具有速度快、安装方便、即插即用、扩展性好、采样精......
采用离子注入的方法在氮化铝（AlN）薄膜中实现Er3＋和Pr3＋的共掺杂,以阴极荧光光谱仪为主要表征手段,对其发光特性进行研究.对于Er3＋单掺......
采用离子注入法在GaN薄膜中实现了Er^3＋和Eu^3＋离子的共掺杂.以阴极荧光光谱仪为主要表征手段,研究样品的光学特性和能量传递机理.在......
据专业显示器调研机构DisplaySearch公司最新调查报告显示。从2006年下半年开始，发光二极管背投显示器（LED）将成为显示器的主流品种，将......
介绍SEM中常见的两类阴极荧光(Cathodoluminescence,简称CL)发光模型,给出旋转半抛物面镜CL收集与传输系统的几个基本关系式,着重......
采用离子注入方法在氢化物气相外延法生长的AlN薄膜中注入了不同剂量的Dy^3+和Eu^3+,制备了Dy^3+单掺、Dy^3+和Eu^3+共掺的AlN样品......
北京市作为我国的政治、经济和文化中心,其大气雾霾污染问题引起了全世界的关注。雾霾污染不仅能够使能见度下降,而且对人类健康构......
对AlInGaN四元合金进行了微区发光和拉曼散射研究.根据V-形缺陷周围扫描电镜图像和阴极荧光光谱的分析,确定AⅡnGaN外延层中V-形缺......
<正> 扫描电镜中的阴极荧光(CL)显微成象及其光谱分析术已日益成为一种研究晶体缺陷、杂质成份、能带结构及各种能级复合发光动力......
随着氮化物材料质量的不断改善,应用于显示照明和通信技术的发光二极管(LED)、激光二极管(LD)以及大功率的高电子迁移率晶体管(HEM......
本论文依托于先进的多功能扫描电镜平台对低温液相烧结Bi掺杂Sr0.8Ba0.2TiO3陶瓷及ZnO-Bi2O3-Sb2O3陶瓷的微观形貌、成分分布、晶......
由于在研究SiC晶体缺陷对器件性能的影响的过程中,表征材料缺陷的常用的方法是破坏性的,因此寻找一种无损的测试方法对缺陷进行有......
近几年来,ZnO一维纳米结构的制备和物性研究正掀起一股极大的热潮。一维纳米ZnO不仅具有通常一维纳米材料共有的优点,还拥有许多独......
纳米材料是指至少有一维的尺寸在1到100纳米间的材料,具有奇特和新颖的特性以及广泛的应用,许多情况下可能比其块体材料更有价值,......
用离子注入法制备了Mn掺杂的CdTe,Mn离子能量为200keV,X射线衍射测得注入样品的衍射半高宽为由48arcsec变为146 arcaec,X射线光电......
在JCXA-733电子探针上采用一种实用的微区紫外-可见阴极荧光的探测方案对河北唐山石英砂岩的微小次生加大边进行阴极荧光分析,结果......
对MOCVD生长的r-Al2O3上的a面GaN薄膜采取了两种方式的室温阴极荧光的测试,即固定电子束加速电压改变电子束流和固定电子束流改变......
表面等离激元以其独特的光学性质广泛应用于纳米尺度的局域电磁场增强、超高分辨成像及微弱光电探测.阴极荧光是电子与物质相互作......
通过MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长GaN薄膜,利用离子注入方法将Eu^3+离子注入到GaN基质中。X射线衍射结果表明:经过退火处理后,修复......
电子探针与阴极荧光谱仪相结合是目前应用于地质研究中的新方法。碳酸盐矿物的阴极荧光强度与微量元素分布及含量有关：方解石及白云......
通过对3个不同程度蜕晶化锆石样品的激光拉曼光谱，阴极荧光图像（CL）和U-Pb年龄特征进行对比分析，笔者发现锆石CL图像和激光拉曼光谱测......
